第三代半导体碳化硅，又传动态
近期，第三代半导体碳化硅传来新进展：中国台湾拟新建一座碳化硅工厂；芯联集成为乐道L60供应碳化硅模块；罗姆半导体为法雷奥提供碳化硅塑封型模块；江苏常州银芯微功率半导体工厂开业；士兰微碳化硅芯片扩产项目完成验收；上海临港达波科技4/6英寸碳化硅项目正式通线...
碳化硅
微通道反应器特性介绍
微通道反应器「链接」，即微反应器，利用精密加工技术制造的特征尺寸在10到300微米（或者1000微米）之间的微型反应器，微反应器的“微”表示工艺流体的通道在微米级别，而不是指微反应设备的外形尺寸小或产品的产量小。微反应器中可以包含有成百万上千万的微型通道，因此
出口级黑碳化硅微粉BLACK CARBORUNDUM F230-F1200
出口级黑碳化硅微粉BLACK CARBORUNDUM F230-F1200化学成分物理特性粒度对应中值D50
平面or沟槽？碳化硅器件未来的主战场
虽然目前平面设计似乎占据了蓬勃发展的电动汽车动力传动系统逆变器市场的大部分份额，但在不久的将来，成本压力和边际收益可能会使沟槽设计脱颖而出。在本文中，我们将解释这两种设计的不同优缺点、当前的商业影响以及这些器件的未来前景。
碳化硅衬底的湿法氧化
半导体碳化硅(4H-SiC)材料具有硬度高、脆性大、化学性质稳定等特点，一般使用化学机械抛 光工艺来加工 SiC 以获得超光滑平坦表面。湿法氧化作为单晶 SiC 化学机械抛光的重要过程，直接影 响着 CMP 的速率和表面质量。本文综述了目前单晶 SiC 湿法氧
碳化硅功率器件高密度互连技术研究进展
摘要:相比于硅,SiC材料因具有宽禁带、高导热率、高击穿电压、高电子饱和漂移速率等优点而在耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件中得到了广泛应用。传统的引线键合是功率器件最常用的互连形式之一。然而,引线键合固有的寄生电感和散热问题严重限制了 SiC功率器件的